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法国Jean Lamour研究所Thierry Belmonte所长和陆沅博士来半导体所交流

2019-08-23

应半导体所光电子研发中心成步文研究员的邀请,2019822日上午,法国Jean Lamour研究所的Thierry Belmonte所长和陆沅博士来半导体所进行学术交流。

交流会上,Thierry Belmonte教授作了题为“Institute Jean Lamour: A whole lab built around a UHV tube”的学术报告,系统地介绍了Jean Lamour研究所的研究概况,重点介绍了Jean Lamour研究所的70米长超高真空管道和围绕超高真空管道建立的实验设备、研究目标等。陆沅博士做了题为“Evidence of Pure Spin-Current Generated by Spin Pumping in Interface Localized States in Hybrid Metal-Silicon-Metal Vertical Structures”的学术报告,介绍了他在金属--金属垂直结构中纯自旋电流的产生传输等特性,并与在座的30余名博士和硕士研究生进行了热烈的讨论和交流,使大家受益匪浅。

会前,半导体所杨富华副所长与Thierry Belmonte教授进行了会谈,感谢他在百忙之中来半导体所作学术报告和开展学术交流,并就加强两所科研合作、促进人才联合培养等进行了深入的探讨。

 

 



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